近日，嘉兴市政府网披露了晶能微电子科技生产基地项目对外招标的信息。
       据悉，该项目总投资超过50亿元，将分为两期进行。其中项目一期计划建设约11万平方米厂房，包括FAB厂房、CUB动力厂房、模块厂房、特气站、实验室及研发中心等，总占地95.4亩，选址秀洲高新区八字路以北、唯胜路以东地块。
                          
       项目一期具体内容包括6寸晶圆制造项目和SiC模块制造项目。
       根据规划信息显示，该项目产能规划为6寸晶圆制造项目主要建设内容为投资建设月产4万片的6寸硅基晶圆生产线及相关配套；SiC模块制造项目主要建设内容为投资建设年产60万套SiC模块制造生产线及相关配套。
       据调研，晶能微表示该项目一期建设完成后，碳化硅模组项目还将在二期持续扩产建设，二期将主要投资建设年产180万套SiC塑封半桥模块制造生产线及相关配套，继续丰富碳化硅模组产品的供应类型与产能升级。
       实际上，在今年9月，晶能微已试制成功首款SiC半桥模块，模块芯片采用双面银烧结与铜线键合工艺，至多可并联10颗SiC芯片，寄生电感为5nH，持续工作结温达175℃，在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms。
                          
       ■晶能SiC半桥模块
       此次SiC半桥模块是为应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品。涵盖750V/1200V耐压等级，可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。
       11月初，晶能技术团队开发的“高可靠性先进汽车功率芯片和模块”项目还获得了国家级创新项目认定和奖励。
                          
       同时，在一期6寸硅基晶圆生产线产品的选择上，晶能微选择了更保守可靠的FRD晶圆制造。据了解由于IGBT模组制造时需要搭配二极管（FRD）晶圆，一般一个IGBT模组单元由1对、2对或3对FRD+IGBT芯片组成。其中1对，可以是1个FRD+1个IGBT，也可以是1个FRD+2个IGBT等。因此IGBT模组生产对FRD的晶圆消耗也是巨大的。
       相比较工艺难度较高的车规级IGBT芯片和碳化硅MOS芯片，FRD的工艺难度要小很多，后续在产线调试和量产节奏上会快于IGBT芯片和碳化硅MOS芯片，可以快速替代外购产品达成自用或对外销售。
       同时，晶能微今年3月已通过合作国内头部代工企业成功流片首款车规级IGBT芯片，初步实现了芯片自主化。在今年5月和8月，还分别布局了车规级半导体封测基地建设项目和组织收购钱江摩托持有的浙江益中封装技术有限公司100%股权，实现了壳封模块、塑封模块和单管产品的全覆盖。
       晶能微表示，公司以应用为驱动，以可靠性为核心，与国内外重要Tier1形成联合开发模式。在芯片设计、模块制造和单管封装上形成核心能力。Si基、SiC基产品性能指标优异，具高可靠性、高鲁棒性等品质特点。

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