日本的东京农工大学与大阳日酸CSE开发出了新一代功率半导体“氧化镓”的低成本制法。利用气体供应原料，在基板上制造晶体，可以减少设备的维护频率，也可以降低运营成本。大阳日酸正准备设备的商用化，客户有需求就可以供货。
                 
      有望实用化的方法是“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”，通过在密闭装置内充满气体状原料，可以在基板上制造出氧化镓的晶体。
      现有的制法是“氢化物气相外延（HVPE）法”，新制法可以制成此前实现不了的高频器件。
      氧化镓是耐压性超过“碳化硅”和“氮化镓”的功率半导体材料，可以降低电力转换时的能源损失。有望用于纯电动汽车（EV）、白色家电及光伏发电等广泛用途。目前已有数家企业实现实用化，富士经济的调查显示，市场规模到2030年将达到470亿日元。
      此次，开发出“有机金属化学气相沉积法”的东京农工大等团队将晶体的生长速度提高到了每小时约16微米，达到原来的约16倍。东京农工大学教授熊谷义直表示：“这是与氢化物气相外延法并列的水平”。
      除了立式结构的功率器件外，还可以制造“高电子迁移率晶体管（HEMT）”这种横式结构，有利于通信设备的高频工作。利用传统的氢化物气相外延法，难以与高电子迁移率晶体管所需的铝进行混晶。
 

来源：内容来源于网络，版权归原作者及原出处所有，如涉及版权等问题，请及时联系我们。