近日，全球知名半导体制造商ROHM（罗姆 : 总部位于日本京都市）推出了采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V GaN HEMT，型号为GNP2070TD-Z。该封装设计紧凑且散热性能优异，具有高电流容量和出色的开关性能。因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。

       为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。率元器件是提高其效率的关键，因此采用SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。
       ROHM(罗姆)于2023年4月开始量产650V耐压的第1代 GaN HEMT，并于2023年7月量产将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC。
       为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求，ROHM(罗姆)采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。
       新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输出电容相关的器件性能指标 (R_DS(ON)×Q_oss^*2) 方面，数值表现达到业界先进水平。
       这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化,新产品已于2024年12月投入量产。
       为了实现大规模生产，ROHM(罗姆)利用其在垂直统合型一体化生产体系中所积累的元器件设计技术和自有优势，进行了相关的设计和规划，并于2024年12月10日宣布作为与台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下简称“TSMC”）合作的一环，前道工序在TSMC生产，后道工序在ATX生产。另外，ROHM(罗姆)还计划与ATX合作生产车载GaN器件。预计从2026年起，GaN器件在汽车领域的普及速度将会加快，ROHM(罗姆)计划在加强内部开发的同时，进一步加深与这些合作伙伴之间的关系，以加快车载GaN器件投入市场的速度。
                        
       ROHM(罗姆)生产本部 本部长 藤谷 谕 表示："非常高兴ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN器件，还提供其与融入自身模拟技术优势的IC等元器件相结合的电源解决方案，而且还会再将这些设计过程中积累的专业知识和理念应用到元器件的设计中。通过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作，ROHM不仅能够跟上快速增长的GaN市场的步伐，同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。未来，我们将继续通过提高GaN器件的性能，促进各种应用产品的小型化和效率提升，为丰富人们的生活贡献力量。"

＜术语解说＞

*1) GaN HEMT

GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。

*2) R_DS（ON）×Q_oss

评估元器件性能的指标，Q_oss是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外，R_DS（ON）（导通电阻）是使MOSFET启动（导通）时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。这两者相乘得到的值越低，开关工作效率越高，开关损耗越少。

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