为下一代电动汽车基础设施而设计，为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案。

       2024年12月30日讯，芝加哥—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。
       TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：

       · 车载充电器 (OBC)

       · 电动汽车牵引逆变器

       · 输入/输出接口

       · Vcc 总线

       这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。
       Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”
​​​​​​​       TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：

       ·单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；

       · 非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要不同的负电压和正电压额定值；

       · 设计紧凑：该系列产品采用DO-214AA（SMB J-Bend）封装，非常适合空间受限的汽车设计；

       ·车规级品质：通过 AEC-Q101 认证，确保为汽车应用提供最高可靠性；

       ·高功率损耗：600W 峰值脉冲功率损耗（10×1000μs 波形）可针对瞬态过压故障提供强大保护；

       · 低钳位电压：VC<10V@30A(8/20µs)，可提供最佳负栅极驱动保护；

       ·宽频率稳定性：在高达2 MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容，是SiC MOSFET应用的理想之选；

       ·与主流 SiC MOSFET兼容：适用于Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET。

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