盖世汽车讯 9月11日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry宣布推出第四代（Gen4）0.18㎛ BCD工艺，该工艺比之前的第三代（Gen3）性能提升约20%。凭借这一最新技术，SK keyfoundry可提供用于提高移动出行和汽车功率半导体性能的解决方案。

图片来源：SK Keyfoundry

SK Keyfoundry第四代0.18㎛ BCD工艺可提供最高40V的功率器件，具有3.3V、5V、18V等多种功率器件栅极输入，可用于服务器和笔记本电脑的PMIC、DDR5内存的PMIC、手机充电器、音频放大器和汽车栅极驱动器等多种应用，以满足客户需求。该工艺还可提供微调用MTP（Multi-Time Programmable，多次可编程）/OTP（One-Time Programmabl，一次性可编程）存储器和SRAM存储器等选项，以方便客户的产品设计。

SK Keyfoundry第四代0.18㎛ BCD工艺符合汽车质量标准AEC-Q100 Grade 1，可确保IC在125℃高温环境下工作，适用于汽车功率半导体，而厚IMD（Inter Metal Dielectric，金属间介电体）选项则可使汽车产品设计承受15,000V以上的电压。

基于第三代0.18㎛ BCD工艺所获得的量产经验及客户的高度信任，SK Keyfoundry公司预计第四代0.18㎛ BCD工艺将有助于延长移动设备的电池寿命、降低发热、实现稳定性能，并通过提高汽车应用功率半导体的能效来提升性能。

SK Keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示：“我们很高兴为客户提供性能更佳的全新第四代0.18㎛ BCD工艺。SK Keyfoundry将继续加强其在电源半导体工艺技术方面的竞争力，并与我们的客户密切合作，将业务扩展到未来有望实现高增长的各种应用领域，例如用于AI服务器的PMIC、DDR5 PMIC和汽车栅极驱动器IC。”

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