盖世汽车讯 9月11日,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry宣布推出第四代(Gen4)0.18㎛ BCD工艺,该工艺比之前的第三代(Gen3)性能提升约20%。凭借这一最新技术,SK keyfoundry可提供用于提高移动出行和汽车功率半导体性能的解决方案。
图片来源:SK Keyfoundry
SK Keyfoundry第四代0.18㎛ BCD工艺可提供最高40V的功率器件,具有3.3V、5V、18V等多种功率器件栅极输入,可用于服务器和笔记本电脑的PMIC、DDR5内存的PMIC、手机充电器、音频放大器和汽车栅极驱动器等多种应用,以满足客户需求。该工艺还可提供微调用MTP(Multi-Time Programmable,多次可编程)/OTP(One-Time Programmabl,一次性可编程)存储器和SRAM存储器等选项,以方便客户的产品设计。
SK Keyfoundry第四代0.18㎛ BCD工艺符合汽车质量标准AEC-Q100 Grade 1,可确保IC在125℃高温环境下工作,适用于汽车功率半导体,而厚IMD(Inter Metal Dielectric,金属间介电体)选项则可使汽车产品设计承受15,000V以上的电压。
基于第三代0.18㎛ BCD工艺所获得的量产经验及客户的高度信任,SK Keyfoundry公司预计第四代0.18㎛ BCD工艺将有助于延长移动设备的电池寿命、降低发热、实现稳定性能,并通过提高汽车应用功率半导体的能效来提升性能。
SK Keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示:“我们很高兴为客户提供性能更佳的全新第四代0.18㎛ BCD工艺。SK Keyfoundry将继续加强其在电源半导体工艺技术方面的竞争力,并与我们的客户密切合作,将业务扩展到未来有望实现高增长的各种应用领域,例如用于AI服务器的PMIC、DDR5 PMIC和汽车栅极驱动器IC。”
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