盖世汽车讯 据外媒报道，为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅（SiC）解决方案的设计者、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出其QSiC™系列的新成员。全桥配置的QSiC 1200V SiC MOSFET模块可提供接近于零的开关损耗，显著提高效率、减少散热并允许使用更小的散热器。
                    
                                                             图片来源：SemiQ
       全桥配置的QSiC模块具有超过1400V的高击穿电压，可承受Tj = 175°C的高温运行，并且在整个温度范围内（Rds（On））漂移极小。SemiQ的模块采用高性能陶瓷制成，可实现卓越的性能水平、更高的功率密度和更紧凑的设计，尤其是在高频和高功率环境中。因此，它们非常适合需要双向功率流或更广泛控制的苛刻应用，例如太阳能逆变器、电动汽车（EV）DC-DC转换器和电源的驱动器和充电器。
       在太阳能逆变器应用中，SemiQ的技术使设计人员能够实现更高的效率（高达 98%）以及更紧凑的设计。它有助于减少热损失、提高热稳定性并增强可靠性，并得到超过5400万小时的HTRB/H3TRB测试的支持。1200V MOSFET还可最大限度地提高DC-DC转换器的效率，同时增强可靠性并最大限度地降低功耗。
       为了保证每个模块稳定的栅极阈值电压和优质的栅极氧化层质量，SemiQ在晶圆级进行栅极老化测试。除了有助于降低外在故障率的老化测试外，SemiQ还进行了各种应力测试，包括栅极应力、高温反向偏压（HTRB）漏极应力以及高湿度、高电压和高温（H3TRB），旨在达到必要的汽车和工业级质量标准。该器件还提供扩展的短路额定值，所有部件都经过了超过1400V的测试。
       SemiQ总裁Timothy Han博士表示：“SemiQ承诺致力于对每个模块进行优化和定制，确保它们不仅满足而且超越高效率、高功率应用的独特需求。我们相信通过定制解决方案增强创新能力，我们的SiC模块在每个定制设计中都体现了性能、精度和可靠性的巅峰。”

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