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晶能SiC半桥模块试制成功

发布时间:9/12/2023


      近日,晶能首款SiC半桥模块试制成功,初测性能指标达到国际一流水平。
                    
      
该模块电气设计优异,寄生电感5nH;采用双面银烧结与铜线键合工艺,配合环氧树脂转模塑封工艺,持续工作结温达175℃,在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms。
      此次SiC半桥模块是为应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品。涵盖750V/1200V耐压等级,至多并联10颗SiC芯片,可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。

 

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